目指すべきTC像
真空技術、電子線技術とプラズマ応用技術を核とした成膜技術、パターン形成、エッチングなどの微細加工プロセスおよび評価・計測により、マイクロ・ナノサイズのデバイス研究にコミットする。MEMS、光デバイス、電子デバイス、バイオ関連分野といった、広範囲かつ最先端の研究に対する支援を可能にする高度な知識と技術力を有する。異分野連携研究にも参画し、専門分野であるプロセス技術においては研究の中心的な役割を果たす。これまで培った知識・経験・技術をもとに高度技術系専門職人財を養成するとともに、組織運営にも積極的に取り組む。
TM認定基準(KPI, 技術・開発系の業務に携わった期間に限る)
☆必要単位数:15–19
2単位/1件(下記の2単位項目のうち2項目は必須) | ||
・共著論文(筆頭著者含む) | ・外部資金(科研費等)獲得 | ・技術研究会等発表(自らの発表) |
1単位/1件 | ||
・論文貢献(謝辞) ・授業支援 ・仕様策定委員または技術審査員 |
・外部資金(科研費等)応募 ・特許 ・マネジメント経験 |
・受賞・表彰 ・学会等の委員 ・資格(別添掲載) |
マイクロプロセス系TCの独自KPI:1単位/1件 | ||
・真空夏季大学受講(要4日) ・真空ウォーキング受講(要3日) |
マイクロプロセス系テクニカルコンダクター “TC”養成カリキュラム例(初級〜上級)
1Q | 2Q | 3Q | 4Q | |
初級 | 共通カリキュラム (安全講習注1、自然科学研究機構技術研修、英語研修(初級)注1、東工大博士論文・修士論文発表会聴講、東工大OFC業務体験) |
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中級 |
学)マイクロ・ナノ加工基礎(MEC.J331) 技)リソグラフィ実習 |
技・メ)走査プローブ顕微鏡(1/2) 技・メ)走査電子顕微鏡 他)機器メーカー見学 |
技・メ)走査プローブ顕微鏡(2/2) 技・メ)薄膜X線A 技・メ)単結晶X線構造回折装置B 技)成膜実習 他)東工大研究室見学注1 |
技・メ)電子スピン共鳴装置 技)X線光電子分光法
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メ)技術・研究支援概論1、他)技術・研究支援発表会・シンポジウム1(2Q, 4Q)、他)中古機器バラシキャラバン隊、 |
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上級 |
学)マイクロ・ナノシステム(MEC.J531) 技)微細構造形成実習 |
学)マイクロ・ナノシステム(MEC.J531) |
技・メ)薄膜X線A |
学)ナノ材料計測a (MAT.M402) 技・メ)単結晶X線構造回折装置B |
学)技術・研究支援概論2、他)技術・研究支援発表会・シンポジウム2(2Q, 4Q)、 |
赤字: 必修カリキュラム、 学)東工大教員が講師、 メ)機器メーカー担当者が講師、 技)東工大技術職員が講師、 他)その他カリキュラム
注1: 他機関職員等は東工大と同等の研修・セミナー受講で単位認定とする。
TC取得までの必要単位数
・単位
マイクロプロセス系のモデルケース
カリキュラム認定 |
KPI認定 |
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TC認定 90/40単位
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(初級)共通(部門認定) (5) 計5/5単位 |
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[専門] (中級)機器メーカー見学 (1) (中級)東工大研究室見学 (1) (中級)装置実習 (1) (中級)技術・研究支援発表会, シンポジウム1 (2Q, 4Q) (1) (中級)マイクロプロセス講究1 (1) (中級)テクニカルレポート1 (1) (上級)マイクロプロセス講究2 (1) (上級)テクニカルレポート2 (1)
[マネジメント] 外部マネジメントコース (1) ネゴシエーション研修 (1) リーダーシップ研修 (1) 外部資金獲得セミナー (1) 計12/8単位 |
(必須)共著論文 9件 (18) (必須)外部資金(科研費等)獲得 2件 (4) (必須)技術発表会等発表 12件 (24) (加点)外部資金応募 7件 (7) (加点)授業支援 6件 (6) (加点)仕様策定委員技術審査員 2件 (2) (加点)MEMS集中講義受講 1件 (1) (加点)真空夏季大学受講 1件 (1) (加点)真空ウォーキング受講 1件 (1) (加点)プラズマエレクトロニクス講習受講 2件 (2) (加点)学外のプロセス技術実習の受講 2件 (2) 計68/15単位 |
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TC論文 (5) 計5/5単位 |
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