マイクロプロセス系TC

目指すべきTC像

真空技術、電子線技術とプラズマ応用技術を核とした成膜技術、パターン形成、エッチングなどの微細加工プロセスおよび評価・計測により、マイクロ・ナノサイズのデバイス研究にコミットする。MEMS、光デバイス、電子デバイス、バイオ関連分野といった、広範囲かつ最先端の研究に対する支援を可能にする高度な知識と技術力を有する。異分野連携研究にも参画し、専門分野であるプロセス技術においては研究の中心的な役割を果たす。これまで培った知識・経験・技術をもとに高度技術系専門職人財を養成するとともに、組織運営にも積極的に取り組む。

TM認定基準（KPI, 技術・開発系の業務に携わった期間に限る）

☆必要単位数：15–19

2単位/1件（下記の2単位項目のうち2項目は必須）
・共著論文（筆頭著者含む）	・外部資金（科研費等）獲得	・技術研究会等発表（自らの発表）
1単位/1件
・論文貢献（謝辞）・授業支援　　・仕様策定委員または技術審査員	・外部資金（科研費等）応募・特許　・マネジメント経験	・受賞･表彰・学会等の委員　・資格（別添掲載）
マイクロプロセス系TCの独自KPI：1単位/1件
・真空夏季大学受講（要4日）・真空ウォーキング受講（要3日）・プラズマエレクトロニクス講習会受講（要1日，毎年受講1年に付き1単位）・MEMS集中講義受講（要3日，毎年受講1年に付き1単位）　・学外のプロセス技術実習の受講

マイクロプロセス系テクニカルコンダクター “TC”養成カリキュラム例（初級〜上級）

	1Q	2Q	3Q	4Q
初級	共通カリキュラム（安全講習^注１、自然科学研究機構技術研修、英語研修（初級）、論文公聴会、東工大OFC業務見学）
中級	学）マイクロ･ナノ加工基礎技）リソグラフィ実習	技･メ）走査電子顕微鏡（SEM）	技･メ）走査プローブ顕微鏡（SPM）技･メ）X線回折（薄膜）技･メ）X線回折（単結晶）技）成膜実習他）研究室見学他）機器メーカー見学
中級	メ）技術･研究支援概論1、他）技術･研究支援発表会、他）TCカレッジシンポジウム等、他）中古機器バラシキャラバン隊、技）装置実習（物質分析(バイオ･構造解析･材料評価)、設計製作、マイクロプロセス）他）Semicon Japan, JASIS, BioJapan, nanotechの内3展示会での情報収集とセミナー参加（要3日）、技）マイクロプロセス講究1（24回，内発表4～6回）、技）テクニカルレポート1（発表4回）
上級	学）マイクロ･ナノシステム技）微細構造形成実習	学）マイクロ･ナノシステム	技･メ）X線回折（薄膜）	学）ナノ材料計測a 技･メ）X線回折（単結晶）
上級	学）技術･研究支援概論2、他）イベント（シンポジウム等）企画･運営、技）マイクロプロセス講究2（24回，内発表4～6回）、技）テクニカルレポート2（発表4回）、他）研究室体験、他）メーカー短期留学

赤字：必修カリキュラム、　学）東工大教員が講師、メ）機器メーカー担当者が講師、技）東工大技術職員が講師、他）その他カリキュラム
緑字：令和6年度開講（選択カリキュラム）青字：令和7年度実施（選択カリキュラム）

TC取得までの必要単位数

・単位

マイクロプロセス系のモデルケース

カリキュラム認定
（13単位以上）

KPI認定
（15単位以上）

TC認定

90/40単位

（初級）共通（部門認定） (5)

計５/５単位

[専門]
（中級）機器メーカー見学 (1)
（中級）東工大研究室見学 (1)
（中級）装置実習 (1)
（中級）技術･研究支援発表会，シンポジウム (1)
（中級）マイクロプロセス講究1 (1)
（中級）テクニカルレポート1 (1)
（上級）マイクロプロセス講究2 (1)
（上級）テクニカルレポート2 (1)

[マネジメント]
外部マネジメントコース (1)
ネゴシエーション研修 (1)
リーダーシップ研修 (1)
外部資金獲得セミナー (1)

計12/8単位

（必須）共著論文 9件 (18)
（必須）外部資金(科研費等)獲得 2件 (4)
（必須）技術発表会等発表 12件 (24)
（加点）外部資金応募 7件 (7)
（加点）授業支援 6件 (6)
（加点）仕様策定委員技術審査員 2件 (2)
（加点）MEMS集中講義受講 1件 (1)
（加点）真空夏季大学受講 1件 (1)
（加点）真空ウォーキング受講 1件 (1)
（加点）プラズマエレクトロニクス講習受講 2件 (2)
（加点）学外のプロセス技術実習の受講 2件 (2)

計68/15単位

TC論文 (5)

計5/5単位