元素・分光分析装置
ICP発光分析装置【ICP-OES】 5100 VDV ICP-OES （アジレント・テクノロジー）
■用途
水溶液中の微量元素の定量分析に用います。（検量線法使用）
ppm～ppb レベルの測定が可能で、多元素同時測定ができます。
■仕様
| ICPイオン化部 | Arプラズマ |  |
| 周波数 | 27MHz | |
| 測光方式 | Dual 方式 Axial（軸方向） / Radial（動径方向） |
|
| 測定波長 | 167 - 785nm | |
| システム分解能 | 0.007 nm | |
| 測定濃度範囲 | 10ppb - 100ppm (-1000ppm) 下限・上限は元素や測定条件によって大きく変わります。 |
|
| 特殊溶液 | フッ酸溶液対応 測定可能な元素表中の73元素を定量・定性分析できます。 （ただし検出感度は元素によって違います） |
■備考
原則として液体測定です。試料は溶解して測定します。
容量は最低で 10ml 必要です。
水素、炭素、酸素、窒素、フッ素、希ガス等は測定できません。
ICP質量分析装置【ICP-MS】 7700x （アジレント・テクノロジー）
■用途
水溶液中の超微量元素の定量・半定量分析、同位体元素の存在比に用います。
ppb レベルの測定が可能で、多元素同時測定が可能です。
■仕様
| ICPイオン化部 | Arプラズマ |  |
| 周波数 | 27.12MHz | |
| 最大出力 | 1.6kW 以上 | |
| 質量分離部 | 四重極型（Qポール型） | |
| 質量範囲 | 2-260amu | |
| ダイナミックレンジ | 1×109 | |
| 真空系 | ３段差動排気 | |
| 定量可能濃度 | ppt-1000ppb （元素や測定環境に依存 通常100ppt-100ppb） |
■備考
原則として液体測定です。試料は溶解して測定します。容量は最低で 5ml 必要です。
Si,P,S,Cl,Br,I は分子イオン干渉、イオン化ポテンシャルが高いため、測定は困難です。
水素、炭素、酸素、窒素、フッ素、希ガス等は測定できません。
レーザー顕微ラマン分光光度計【RAMAN】 NRS-4100 （日本分光）
■仕様
| 光源 | ダイオードレーザー 532 nm |  |
| ステージ | マニュアルステージ | |
| 波数分解能 | 2 cm-1/pixel | |
| 同時測定範囲 | 100 ～ 3900 cm-1 |
電界放射型電子銃オージェ分光装置【FE-Auger】 JAMP-9500F （日本電子）
■用途
Li ～ Uまでの元素測定、深さ方向の分析
付属の中和銃を使用することで絶縁体の測定が可能
高分解能分析が可能な電子照射系
※試料の状態により可能な分析内容は変わりますのでご相談ください。
■仕様
| 試料チャンバー | 290mmφ × 150mmH |  |
| 電子照射系 | 電子銃：ショットキーフィールドエミッション電子銃 エミッタ：ZrO/W<100>陰極 加速電圧：0.5 ～ 30 kV プローブ電流量：10-11 ～ 2×10-7 A 二次電子像分解能：3 nm（25 kV、10 pA） オージェ分析時プローブ径：8 nm（25 kV、1 nA） 倍率：×25 ～ ×500,000 作動距離：24 mm(固定） |
|
| 検出系 | 二次電子検出器 反射電子検出器 半導体型反射電子検出器 画像出力 組成像(COMPO) 凹凸像（TOPO) |
|
| オージェ電子分光系 | アナライザ 同心半球形静電アナライザ（HSA） 検出器系 チャンネルトロン（7ch）による多重検出 分析エネルギー範囲 0 ～ 2,500 eV 動作モード 減速比一定モード（CRR） およびパスエネルギー一定モード（CAE） エネルギー分解能(△E/E) 0.05 ～ 0.6 % |
|
| イオン銃（中和およびエッチング） | イオン化方式 磁場重畳電子衝撃形 イオン引出方式 フローティング方式 イオン加速電圧 0.01 ～ 4 keV イオン種：アルゴン |
|
| 試料ステージ | 駆動範囲 X：±10 mm、Y：±10 mm、Z：±6 mm T：0 ～ 55゜ （高傾斜用試料ホルダ使用時 0～90°） R：360゜(制限なし) 試料サイズ 最大 20 mmΦ×5 mmH |
■備考
参考
・本装置を使用した測定例 （PDF書類 0.4MB）
分析事例
AESを用いた積層膜の深さ方向分析
・GD-OES、TOF-SIMS、AESを用いた積層膜の深さ方向分析（PDF書類 0.7MB）
電子プローブマイクロアナライザー【EPMA】 JXA-8200 （日本電子）
■用途
２次電子像観察，反射電子像観察
Ｘ線分析(WDS)(Spot/Line/カラーマッピング)
デジタル画像取り込み
B,C,N,O専用分光結晶を含む5Ch10結晶の分光結晶によりB(5)-U(92)の分析可能。（放射性元素は扱えません）
■仕様
| 電子銃 | LaB6電子銃 |  |
| 加速電圧 | 5-30kV | |
| 分解能 | 二次電子像 1.5nm (加速電圧15kV WD=12mm時) |
|
| 反射電子像 | 3.0nm(加速電圧15kV) | |
| 倍率 | ×50 ～ ×200000 | |
| 検出器 | 二次電子検出器、反射電子検出器、特性X線検出器 | |
| ワーキング ディスタンス |
11mm | |
| 検出器 | 5ch Xeガス封入型／ガスフロー型比例計数管 | |
| 分光結晶 | 10結晶 TAP/TAPH/PET/PETH/LiF/LiFH/ STE/LDE1H/LDE2H/LDE5H |
|
| 試料ステージ | 25mmφ × 9個 |
■備考
マッピングのためには試料表面がμmオーダーで平滑である必要があります．
飛行時間型二次イオン質量分析装置【TOF-SIMS】TOF-SIMS 5-100-AD（ION-TOF GmbH)
■用途
試料表面の有機物、無機物の定性分析
試料の深さ方向の組成分析
ミクロンオーダーより大きい凹凸のある試料に対しても分析可能
■仕様
| 測定イオン | H,Heを含む全ての元素の測定が可能 |  |
| 質量分解能 | 11,000＠29u (FWHM) | |
| 一次イオン照射系 | 一次イオン種：Bi1+,Bi3+,Bi3++ ビーム電圧 15～30kV イオンビーム電流 20nA以上 最小ビーム径 100nm |
|
| スパッタイオン銃系 | スパッタリングイオン源 Cs/O2 加速エネルギー 0.2 ～ 2.0kV 自己補償型帯電補正機能付き |
|
| 試料導入・ステージ系 | 5軸(X,Y,Z,回転,チルト)ステージ |
■備考
参考
・本装置を使用した測定例 (報告提供 材料工学専攻 中村・史研究室) （PDF書類 0.5MB）
分析事例
TOF-SIMSを用いた積層膜の深さ方向分析
・GD-OES、TOF-SIMS、AESを用いた積層膜の深さ方向分析（PDF書類 0.7MB）
レーザ回折式粒子径分布測定装置【SALD】 SALD-2300（島津製作所）
■用途
水に分散させた粉体の粒子径分布測定
■仕様
| 測定原理 | レーザー解説・散乱法 |  |
| 光源 | 半導体レーザー（波長 680nm） | |
| 測定方法N | 湿式 | |
| 測定範囲 | 17nm 〜 2500μm (多機能サンプラ カタログ値) |
■備考
溶液中の粒子濃度は100ppm程度まで