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【FIB部】
分解能: 5nm (30kV, WD6m, 2次電子像)
像の種類:2次電子像
【SEM部】
分解能: 2.5nm (30kV, WD6m, 2次電子像)
像の種類:2次電子像、 反射電子像
【ステージ】
試料移動:6軸 (X, Y, R, T, Z, fineZ)
最大試料サイズ: 5mmφ
【ガスインジェクションシステム】
ガス材料: C, W
デポジション性能: 約5μm3/min @C
【マイクロプローブ機構】
OmniProbe社製 AutoProbe300
FIB (Focused Ion Beam )は集束したGaイオンビームを試料に照射して加工や観察を行う技術です。加工はスパッタリング現象によるミリングとガス照射を併用したデポジションとなります。観察は試料表面から発生する2次電子を捕捉した表面形状観察(SIM(Scanning Electron Microscope))です。SEM(Scanning Electron Microscope)は電子線を利用した表面形状観察です。
J1棟B02室 内線:5281
設置場所 J1棟B02室(5281)
庄司 大(shouji.d.6a8e)
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